[发明专利]一种磷酸清洗控制装置及方法有效
| 申请号： | 201711167872.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107946213B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴良辉;蒋阳波;张静平;汪亚军;顾立勋;游晓英;宋东门;徐融 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磷酸清洗控制装置及方法，所述装置包括以下结构：第一控制器，其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接；第二控制器，连接磷酸循环回路和第一控制器，用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出；硅监控器，连接磷酸循环回路，用于监测磷酸循环回路中的硅浓度，将硅浓度反馈给第一控制器；空气阀，连接第一控制器和磷酸循环回路，控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入；磷酸循环回路，自所述空气阀引入磷酸药液，清洗待处理的3D NAND存储器等级层堆栈。本发明的磷酸清洗控制装置及方法，通过自动实时监测并控制硅浓度，便于维护硅浓度，可以消除氧化物层大头现象，从而提高3D NAND等级层堆栈中导体层的填充良率，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 清洗 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种磷酸清洗控制装置，用于3D NAND存储器等级层堆栈制造，其特征是，包括以下结构：第一控制器，其分别与硅监控器、空气阀、第二控制器连接；第二控制器，连接磷酸循环回路和第一控制器，用于控制磷酸循环回路中磷酸药液的排出；硅监控器，连接磷酸循环回路，用于监测磷酸循环回路中的硅浓度，将硅浓度反馈给第一控制器；空气阀，连接第一控制器和磷酸循环回路，控制磷酸循环回路中磷酸药液的补入；磷酸循环回路，自所述空气阀引入磷酸药液，清洗待处理的3D NAND存储器等级层堆栈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
