[发明专利]电容值的测量方法有效
| 申请号： | 201711167874.6 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109782072B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈议诚 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种电容值的测量方法，包含：控制参考开关、虚接开关与待测开关的开关以形成参考电容(C |
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| 搜索关键词： | 电容 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容值的测量方法，步骤包含：导通一参考开关与一虚接开关，且不导通一待测开关，以形成一参考电容、一虚接电容、对应该参考电容的一第一寄生电容与一比较器杂散电容并联至一检测节点的一第一并联架构；检测该第一并联架构的该检测节点的一节点电压的一第一作动时间；导通该待测开关与该虚接开关，且不导通该参考开关，以形成一待测电容、该虚接电容、对应该待测电容的一第二寄生电容与该比较器杂散电容并联至该检测节点的一第二并联架构；检测该第二并联架构的该检测节点的该节点电压的一第二作动时间；导通该待测开关与该参考开关，且不导通该虚接开关，以形成该待测电容、该参考电容、该第一寄生电容、该第二寄生电容与该比较器杂散电容并联至该检测节点的一第三并联架构；检测该第三并联架构的该检测节点的该节点电压的一第三作动时间；以及依据![]()
计算该待测电容的电容值，其中CMEAS代表该待测电容的电容值、CREF代表该参考电容的电容值、T1代表该第一作动时间、T2代表该第二作动时间以及T3代表该第三作动时间。
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