[发明专利]晶圆清洗装置在审
| 申请号： | 201711167946.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107946214A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吴良辉;蒋阳波;张静平;汪亚军;李君 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆清洗装置。本发明所述的晶圆清洗装置，其中包括第一反应仓和仓盖，所述第一反应仓用于进行晶圆的清洗，所述仓盖的本体能够设于所述第一反应仓的上方，所述本体的内部设有多个与外界相通连接的介质通道，且多个所述介质通道彼此间互不连通，任一个所述介质通道的下方均设有与所述介质通道的内部相连通的喷嘴，用于清洗所述晶圆的各种介质能够通入各自对应的所述介质通道并通过所述介质通道下方的所述喷嘴喷射到所述晶圆的表面。通过使用本发明所述的晶圆清洗装置，能够有效防止喷射到晶圆表面的化学液发生溅射，改善反应仓内的工作环境，降低酸碱溶液发生反应产生颗粒的可能性，提高晶圆的表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括第一反应仓和仓盖，所述第一反应仓用于进行晶圆的清洗，所述仓盖的本体能够设于所述第一反应仓的上方，所述本体的内部设有多个与外界相通连接的介质通道，且多个所述介质通道彼此间互不连通，任一个所述介质通道的下方均设有与所述介质通道的内部相连通的喷嘴，用于清洗所述晶圆的各种介质能够通入各自对应的所述介质通道并通过所述介质通道下方的所述喷嘴喷射到所述晶圆的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
