[发明专利]一种氮化镓表面的硫醇处理方法在审
| 申请号： | 201711170935.4 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108109903A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇韬;孙瑞泽;陆骐峰;赵策洲;梁永齐 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造领域,本发明公开了一种氮化镓表面的硫醇处理方法。该方法包括：将清洗干净的氮化镓样品浸入盐酸溶液中。然后浸入含有硫醇的乙醇溶液中；浸泡完成后，将样品在原子层沉积设备进行高温水蒸气处理。本发明可以去除氮化镓表面的天然氧化层。同时，硫醇的处理可以在氮化镓表面形成保护膜，防止处理过后发生再氧化。另外，在原子层沉积设备反应室内使用高温水蒸气可以去氮化镓表面附着的硫醇的长碳链，避免处理后在界面引入碳杂质。在对氮化镓的表面处理过后，样片能够进行原位介质层生长。本发明可以降低氮化镓与栅介质层、阻挡层之间的界面缺陷，提升氮化镓器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓表面 硫醇 氮化镓 原子层沉积设备 浸入 半导体制造领域 高温水蒸气处理 氮化镓器件 高温水蒸气 天然氧化层 界面缺陷 室内使用 盐酸溶液 乙醇溶液 栅介质层 保护膜 长碳链 介质层 碳杂质 再氧化 阻挡层 附着 去除 浸泡 清洗 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓表面的硫醇处理方法，其特征在于，其包括如下步骤：(1)将清洗干净的氮化镓样品放入盐酸溶液中浸泡，浸泡一段时间后用去离子水冲洗，氮气吹干；(2)在氮气气氛中，将吹干后的氮化镓样品浸入溶有硫醇的乙醇溶液中；浸泡一段时间后，将氮化镓样品再放入无水乙醇溶液中超声清洗，然后氮气吹干；(3)将原子层沉积设备反应室加热，把步骤(2)得到的氮化镓样品置于反应室内，对反应室抽真空，在氮气气氛中，用水蒸气对样品表面处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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