[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201711171046.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110072B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 河廷珉;赵成衍;朴相昱 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极设置在所述第一导电半导体层上。使所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面不同的第二表面，其中，所述第一表面和所述第二表面中的每一个包括第一边缘区域、第二边缘区域以及位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域之间的单元区域；第一钝化层，该第一钝化层形成在所述半导体基板的所述第一表面的单元区域上；第一导电半导体层，该第一导电半导体层被设置在所述第一钝化层上；以及第一电极，该第一电极与所述第一导电半导体层联接，其中，所述半导体基板的所述第一表面的所述第一边缘区域包括暴露区域，并且其中，所述半导体基板的与所述暴露区域对应的部分具有沿着第一方向一致的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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