[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201711172865.6 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109411571B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | A·P·雅各布;S·班纳;D·纳亚克 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开一般涉及半导体结构，更具体地，涉及发光二极管以及制造方法。方法包括：在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的鳍结构；通过包覆鳍结构的第一鳍结构的掺杂芯区域而保护鳍结构的第二鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第一颜色发射区域；通过包覆第二鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及通过包覆第三鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第二鳍结构的掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的鳍结构；通过包覆所述鳍结构的第一鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述鳍结构的第二鳍结构和第三鳍结构的所述掺杂芯区域形成第一颜色发射区域，；通过包覆所述第二鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述第一鳍结构和所述第三鳍结构的所述掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及通过包覆所述第三鳍结构的所述掺杂芯区域而保护所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的所述掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。
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