[发明专利]一种提高器件均匀性的方法在审
| 申请号： | 201711172929.2 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107731662A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 黄然;周维;邓建宁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高器件均匀性的方法，包括步骤一、通过化学气相沉积工艺在晶圆正面生长一层氧化物遮挡层；步骤二、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的背面残留的氮化物薄层；步骤三、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的正面的所述氧化物遮挡层。本发明通过去除晶圆背面的残留氮化物，为后续尖峰退火工艺提供均匀的衬底，可以有效的减小因为晶圆背面氮化硅薄膜厚度对尖峰退火工艺温度的影响带来的晶圆之间器件特性的大幅波动。通过这种方法，可以明显提高大规模量产中产品器件均匀性和良率的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 器件 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高器件均匀性的方法，其特征在于，包括：步骤一、通过化学气相沉积工艺在晶圆正面生长一层氧化物遮挡层；步骤二、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的背面残留的氮化物薄层；步骤三、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的正面的所述氧化物遮挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
