[发明专利]一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米复合ZnO‑ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其材料化学结构式为(ZnSb)100‑x(ZnO)x，0x20，其制备方法步骤如下：将ZnO陶瓷靶材安装在磁控直流溅射靶上，将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶上，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，然后通入高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压0.30Pa，然后固定ZnSb射频靶溅射功率为35 W，调控ZnO直流靶溅射功率为3‑21 W，在室温下双靶共溅射镀膜，溅射厚度达180 nm后，即得到相变存储薄膜材料，优点是结晶温度高、晶化速度快、非晶态/晶态电阻比高和可实现非晶态直接向稳态晶相转变。

主权项

1.一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料为介质材料ZnO与相变材料ZnSb的复合物，其化学结构式为(ZnSb)100-x(ZnO)x，其中0<x<20。