[发明专利]半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，半导体衬底的上表面依次形成第一介质层及第二介质层；2）于第一介质层及第二介质层内形成沟槽；3）于沟槽的底部、侧壁及第二介质层的上表面形成第一金属阻挡层；4）于第一金属阻挡层的表面形成导电金属层；5）采用回刻工艺去除部分导电金属层以形成导电插塞；6）于第一金属阻挡层的表面及导电插塞的上表面形成第二金属阻挡层；7）于第二金属阻挡层的表面形成金属连线层；8）去除位于第二介质层上表面的第一金属阻挡层、第二金属阻挡层及所述金属连线层。本发明可以大大节约生产成本；相较于现有技术工艺步骤更少，工艺更简单。

主权项

一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底，所述半导体衬底的上表面依次形成第一介质层及第二介质层；2)于所述第一介质层及所述第二介质层内形成沟槽，所述沟槽露出部分所述半导体衬底；3)于所述沟槽的底部、侧壁及所述第二介质层的上表面形成第一金属阻挡层；4)于所述第一金属阻挡层的表面形成导电金属层，所述导电金属层填满所述沟槽；5)采用回刻工艺去除部分所述导电金属层以形成导电插塞，所述导电插塞的上表面低于所述沟槽的上表面；6)于所述第一金属阻挡层的表面及所述导电插塞的上表面形成第二金属阻挡层；7)于所述第二金属阻挡层的表面形成金属连线层，所述金属连线层填满所述沟槽；8)去除位于所述第二介质层上表面的所述第一金属阻挡层、所述第二金属阻挡层及所述金属连线层。