[发明专利]一种监测离子注入设备性能的方法

摘要

本发明提供了一种监测离子注入设备性能的方法，其中，提供一待测晶圆，待测晶圆放置离子注入设备的反应腔体中；包括以下步骤：提供一离子束，离子束中包括第一离子以及第二离子；控制离子束的偏转半径使第一离子与第二离子分离，以将第一离子注入晶圆中；检测晶圆中的第二离子的含量是否超过一标准值，并在检测出的含量大于标准值时判断离子设备出现性能故障。其技术方案的有益效果在于，通过在于离子束中掺杂第二离子，进而在控制偏转半径使离子束中的第一离子注入晶圆，而第二离子则不会注入晶圆内若检测到晶圆中的第二离子的含量超过标准值，则说明此时的离子设备存在性能故障，具体表现在离子设备的分析磁场中解析力存在问题。

主权项

一种监测离子注入设备性能的方法，其特征在于，提供一待测晶圆，所述待测晶圆放置离子注入设备的反应腔体中；包括以下步骤：步骤S1、提供一离子束，所述离子束中包括第一离子以及第二离子；步骤S2、控制所述离子束的偏转半径使所述第一离子与所述第二离子分离，以将所述第一离子注入所述晶圆中；步骤S3、检测所述晶圆中的所述第二离子的含量是否超过一标准值，并在检测出的所述含量大于所述标准值时判断所述离子设备出现性能故障。