[发明专利]一种具有高反射率宽谱氧化物反射镜的倒装蓝光LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711178161.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107968143A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王钢;马学进;范冰丰;陈伟驱;罗宏泰 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人： | 李唐明,顿海舟 |
| 地址： | 510260 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于所述芯片包括在衬底上依次生长缓冲层(未示出)、N型半导体层、MQW有源层以及P型半导体层，形成外延层；所述芯片去除部分MQW有源层、P型半导体层，露出部分N型半导体层；所述P型半导体层包括透明电流层与宽谱DBR层，其中，所述透明电流层覆盖所述P型半导体层，所述宽谱DBR层覆盖所述透明电流层、所述P型半导体层、所述MQW有源层以及所述N型半导体层；同时本发明还公开了倒装蓝光芯片的制备方法；通过在芯片中加入宽谱DBR反射镜，取代现有芯片中的传统DBR反射镜，解决大角度入射时反射率过低及兼容多种激发波长荧光粉的问题，从而提高光萃取效率以及芯片封装后的整体光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射率 氧化物 反射 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高反射率的宽谱反射镜的倒装蓝光芯片，其特征在于：所述芯片包括在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、MQW有源层以及P型半导体层，形成外延层；所述芯片去除部分MQW有源层、P型半导体层，露出部分N型半导体层；所述P型半导体层包括透明电流层与宽谱DBR层，其中，所述透明电流层覆盖所述P型半导体层，所述宽谱DBR层覆盖所述透明电流层、所述P型半导体层、所述MQW有源层以及所述N型半导体层。
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