[发明专利]去除光刻胶显影后残留缺陷的方法有效
| 申请号： | 201711178203.X | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107993924B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工艺使光刻胶图形的尺寸缩小，结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 显影 残留 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括如下：/n步骤一、在晶圆上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过所述曝光对所述光刻胶图形的尺寸进行预先定义，在被显影的区域存在光刻胶残留；/n步骤二、进行光刻胶预处理工艺，通过所述光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸缩小，通过步骤一中预先定义的所述光刻胶图形的尺寸减去步骤二中使所述光刻胶图形的尺寸缩小的量得到所述光刻胶图形的最终尺寸并使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸；/n所述光刻胶预处理工艺的温度越低，去胶速率越慢，越有利于对所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸的缩小量进行控制，在满足将被显影的区域存在的光刻胶残留去除的前提下将所述光刻胶图形的尺寸的缩小量调节到使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
