[发明专利]一种硅片晶圆划片工艺在审
申请号: | 201711180024.X | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107863321A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 徐志华;葛建秋;张彦 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅片晶圆划片工艺,包括如下步骤准备工作,平面环划片,圆片清洗,圆片烘烤。本发明的一种硅片晶圆划片工艺,过程采用全自动化,工艺过程简单,便于操作,所划分的晶片合格率高,大大降低企业的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 划片 工艺 | ||
【主权项】:
一种硅片晶圆划片工艺,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、准备工作:根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号,操作员在切割前应该检查载物台,若载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质,点击“刀片状况资料”, 读取刀刃露出量,若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀;步骤2、平面环划片:设备启动,调出设备中该品种数据,进行核对,如果正确,即可开始划片,将平面环按照卡子端放入划片机工作台,全自动划片,划片可全自动进行;步骤3、圆片清洗:将平面环的四个平口端分别放置在清洗机卡扣处。关闭设备防护门后按下绿色START按钮开始清洗作业;步骤4、圆片烘烤:对于圆片,在上机划片前必须放在烘箱中,升温5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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