[发明专利]一种硅片圆片全自动切割工艺在审
申请号: | 201711180143.5 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107895706A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 葛建秋;张彦;陈玲 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明为一种硅片圆片全自动切割工艺,包括以下步骤,从主菜单界面上,按F1键,调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧焦距调整钮;用“θ顺时针旋转”和“θ逆时针旋转”及Y∧和Y∨键,工作盘自动的移到左边,再进行校准后,再按F5键工作盘自动的移到右边;用Y∧和Y∨及“HAIR WIDE”和“HAIR NARROW”键,移动切割区与基准线重合并使基准线宽度与切割区相符;按亮“INDEX”键,用Y∧和Y∨键来确认Y步进值与被加工工件在CH1方向上的步进相符;按“ENTER”键结束工件CH1的校准;按“ENTER”键结束CH2的校准后,按“START”键开始执行自动切割;按“C/T VAC”键,再按“C/T VAC”键。本发明操作过程机器全自动进行操作,无需人工调整刀头的方位,确保切割原片的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 全自动 切割 工艺 | ||
【主权项】:
一种硅片圆片全自动切割工艺,其特征在于,包括以下步骤,(1)从主菜单界面上,按F1键,工作盘自动的移到显微镜下,此时自动切割界面出现,调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧焦距调整钮,使得工件在屏幕上清晰的显示;(2)用“θ顺时针旋转”和 “θ逆时针旋转”及Y∧和Y∨ 键,在慢速状态下,校准工件“CH1”角度,按F5角度校准键,工作盘自动的移到左边,再进行校准后,再按F5键工作盘自动的移到右边,反复上述操作直到被切割工件的切割区与基准线平行为止;(3)用Y∧和Y∨及“HAIR WIDE”和“HAIR NARROW”键,移动切割区与基准线重合并使基准线宽度与切割区相符;(4)按亮“INDEX”键,用Y∧和Y∨键来确认Y步进值与被加工工件在CH1方向上的步进相符;(5)按“ENTER”键结束工件CH1的校准,此时工作盘将自动旋转90度,以便执行工件CH2的校准,方法同CH1校准相同;(6)按“ENTER”键结束CH2的校准后,按“START”键开始执行自动切割;此时机器上面的信号塔的绿灯亮起,主轴自动旋转到设置的转速,切割水自动打开,切割先从CH2切,待CH2切割完毕后,然后工作盘自动旋转90度,开始CH1切割;(7)按“C/T VAC”键,再按“C/T VAC”键,工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面,然后真空关闭,此时可取下工件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造