[发明专利]三维存储器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，衬底包括外围区和核心区；在核心区上形成台阶结构；形成覆盖外围区及台阶结构的保护层；去除覆盖外围区的保护层；在外围区及剩余的保护层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，在含有保护层的台阶结构上形成第一接触孔，并在外围区上形成第二接触孔。本发明中的方法，可以有效地防止在台阶结构上形成接触孔的过程中，栅极线层中的钨与反应气体发生化学反应而在接触孔的底部生成化合物残留，从而有效的保障了台阶结构上形成的接触孔的电性，进而提高了三维存储器成品的良率。

主权项

1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；在所述核心区上形成台阶结构；形成覆盖所述外围区及所述台阶结构的保护层；去除覆盖所述外围区的保护层；在所述外围区及剩余的保护层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层及部分剩余的保护层，在含有保护层的台阶结构上形成含有间隙壁层的第一接触孔，并在所述外围区上形成第二接触孔。