[发明专利]一种钼合金和石墨的真空钎焊方法

摘要

本发明属于异质材料连接技术领域，具体涉及一种钼合金和石墨的真空钎焊方法。该方法包括石墨活性化步骤和真空钎焊步骤。本发明工艺设计合理、使用效果好，通过此发明得到钼合金和石墨复合件接头重熔温度高，可以在1500℃以下服役，性能稳定，不开裂。

主权项

1.一种钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，依次包括：

石墨活性化步骤：将钛合金薄片放置于待焊石墨的待焊面上进行活性化处理，得到活性处理的石墨；

真空钎焊步骤：将钎焊料放置于待焊钼合金和所述活性处理的石墨中间进行真空钎焊处理，得到钼合金和石墨的复合件。

2.根据权利要求1所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在所述石墨活性化步骤之前还包括高真空除气步骤：将所述待焊钼合金和所述待焊石墨在真空度不低于5×10^‑4Pa的条件下进行除气热处理；优选地，所述除气热处理的温度为1500～1800℃，保温时间为30～60min；进一步优选地，所述除气热处理是在真空炉中完成的。

3.根据权利要求1所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在所述石墨活性化步骤中，所述活性化处理是在真空炉中完成的。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在所述石墨活性化步骤中，所述钛合金薄片的尺寸与所述待焊石墨的待焊面的尺寸相同；优选地，所述钛合金薄片的厚度为0.2～0.5mm。

5.根据权利要求1‑4任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，所述钛合金薄片为纯钛薄片，进一步地，所述纯钛薄片满足GB/T3622‑2012《钛及钛合金带、箔材》标准规定的TA1的相关规定。

6.根据权利要求1‑5任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在所述石墨活性化步骤中，所述活性化处理的温度为1700～1800℃，保温时间为10～30min，真空度不低于5×10^‑4Pa；优选地，在所述石墨活性化步骤中，所述活性化处理之后还包括随炉冷却至60℃以下出炉。

7.根据权利要求1‑6任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在真空钎焊步骤中，所述钎焊料的成分包括：Ti、Cr和Ta；更优选地，按照质量百分比，所述钎焊料由如下成分组成：Ti 80～90％，Cr 5～10％、Ta 5～10％；进一步优选地，所述钎焊料为薄片状，厚度优选为0.15～0.30mm；所述钎焊料优选是采用真空熔炼结合轧制的工艺制备的。

8.根据权利要求1‑7任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在真空钎焊步骤中，所述真空钎焊处理的温度为1820～1900℃，保温时间为10～30min，真空度不低于5×10^‑3Pa。

9.根据权利要求1‑8任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，在真空钎焊步骤中，所述真空钎焊处理是在真空钎焊炉中完成的；所述真空钎焊处理过程中无需施加外部压力。

10.根据权利要求1‑9任一项所述的钼合金和石墨的真空钎焊方法，其特征在于，所述待焊钼合金中，钼元素的质量百分比为90％以上。