[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备在审
| 申请号： | 201711184313.7 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946306A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;周文斌;张磊;杨鹏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维存储结构制作方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构制作方法，包括在衬底上形成凹陷区；在所述凹陷区形成三维存储器件；在非凹陷区形成外围电路。本发明提供的三维存储结构制作方法，通过优先制作三维存储器件，在三维存储器件形成后再制作外围电路，可以避免三维存储器件制程中的热处理过程对外围电路的不良影响，从而可以有效提高外围电路器件电性能及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 结构 制作方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
一种三维存储结构制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成凹陷区；在所述凹陷区形成三维存储器件；在非凹陷区形成外围电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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