[发明专利]三维存储结构连线方法、存储结构、存储器及电子设备在审
| 申请号： | 201711184323.0 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946237A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王鹏程;王喆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储结构连线方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构连线方法，包括形成目标通孔，以及在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区；在所述目标通孔中形成接触线，以及在所述通孔扩展区中形成与所述接触线连接的接触垫；基于所述接触垫形成与所述接触线连接的金属连线。本发明提供的三维存储结构连线方法，通过在目标通孔的顶端形成通孔扩展区，并在所述通孔扩展区中形成接触垫，即可利用所述接触垫扩大接触线的接触窗口，使得在形成金属连线的过程中，垂直通路可以兼容错位影响而良好地着陆到接触垫上，从而可以提高连线的质量和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 结构 连线 方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
一种三维存储结构连线方法，其特征在于，包括：形成目标通孔，以及在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区；在所述目标通孔中形成接触线，以及在所述通孔扩展区中形成与所述接触线连接的接触垫；基于所述接触垫形成与所述接触线连接的金属连线。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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