[发明专利]一种新型栅极结构的功率MOS器件制造方法在审
申请号: | 201711185876.8 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107978641A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 蒋正洋 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 401331 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种新型栅极结构的MOS器件制造方法,应用于半导体制造领域,在淀积第一氧化层后再淀积一SiN层和一第二氧化层,增加了栅极介质的厚度,通过优化栅极结构阻断栅极杂质向沟道区扩散,达到稳定开启电压、关断电压和减少栅源漏电的情况的目的,从而提高了器件的稳定性及可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 栅极 结构 功率 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种新型栅极结构的MOS器件制造方法,应用于半导体制造领域,其特征在于,提供一硅衬底,所述硅衬底漏极区域存在第一类杂质的重掺杂,还包括以下步骤:步骤S1、于所述第一类杂质的重掺杂层表面形成一外延层;步骤S2、于所述外延层表面形成一第一掩膜层,图案化所述第一掩膜层,于预定位置形成工艺窗口;随后,通过所述第一掩膜层对所述重掺杂层进行刻蚀;步骤S3、去除所述第一掩膜层,在所述外延层表面依次淀积一第一氧化层、一SiN层、一第二氧化层、一多晶硅层;步骤S4、对所述多晶硅层进行第一类杂质的超重掺杂;步骤S5、对所述多晶硅层进行退火,随后,刻蚀所述多晶硅层,至暴露所述外延层;步骤S6、于预定位置形成基区和源区;步骤S7、于所述外延层和所述多晶硅层表面形成一层间介质层,于所述层间介质层内形成接触孔;步骤S8、通过所述接触孔对所述层间介质层进行离子注入;步骤S9、对所述接触孔内壁和所述层间介质层表面溅镀一金属层;步骤S10、对所述金属层进行光刻与刻蚀,形成栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航(重庆)微电子有限公司,未经中航(重庆)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711185876.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率半导体器件终止结构
- 下一篇:一种GaN基异质结二极管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类