[发明专利]用于执行部分读操作的非易失性存储器件及其读取方法有效
| 申请号： | 201711187170.5 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108122566B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 曹溶成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括：第一单元串，包括第一伪单元并且连接到选择的串选择线；第二单元串，包括第二伪单元并且连接到所述选择的串选择线；页缓冲器电路，被配置为选择所述第一单元串和所述第二单元串中的一个单元串以在读操作中读取数据；以及控制逻辑电路，被配置为在所述读操作中向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的所选择的一个单元串的位线施加第一位线电压，以及向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的未选择的一个单元串的位线施加第二位线电压。当选择所述第一单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第二伪单元，并且当选择所述第二单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第一伪单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 部分 操作 非易失性存储器 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：第一单元串，包括第一存储单元和第一伪单元并且连接到选择的串选择线，所述第一存储单元和所述第一伪单元在垂直于衬底的方向上堆叠；第二单元串，包括第二存储单元和第二伪单元并且连接到所述选择的串选择线，所述第二存储单元和所述第二伪单元在垂直于所述衬底的方向上堆叠；页缓冲器电路，被配置为选择所述第一单元串和所述第二单元串中的一个单元串以在读操作中读取数据；以及控制逻辑电路，被配置为在所述读操作中向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的选择的一个单元串的位线施加第一位线电压，以及向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的未选择的一个单元串的位线施加第二位线电压，其中，当选择所述第一单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第二伪单元，并且当选择所述第二单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第一伪单元，以及其中，所述第二位线电压具有低于所述第一位线电压的电平。
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