[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
申请号: | 201711188772.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107968138B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化物发光二极管,包括衬底,以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层,其特征在于:所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层,所述n型碳原子调变层包括位于N型氮化物层上的第一调变层、第二调变层,且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。透过此层n型碳原子调变层可降低电子迁移率,可有效的改善电子空穴于多量子阱发光层的分布不均,也可降低电子溢流现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种氮化物发光二极管,包括衬底,以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层,其特征在于:所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层,所述n型碳原子调变层包括依次位于N型氮化物层上的第一调变层和第二调变层,且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。
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