[发明专利]采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备在审
| 申请号： | 201711189426.6 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108018538A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 侯龙;刘品;邱通令;凃维 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用PE‑TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备，所述制备方法包括：步骤1)对TEOS液体进行气化处理，以产生TEOS气体；步骤2)将氧气和所述TEOS气体通入反应腔室，其中，所述氧气的气体流量与所述TEOS液体的液体流量的比值不小于3.2；步骤3)对所述氧气和所述TEOS气体进行解离后反应，生成二氧化硅薄膜。通过本发明提供的采用PE‑TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备，解决了现有PE‑TEOS工艺制备的二氧化硅薄膜无法作为沟槽掩膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 pe teos 工艺 制备 二氧化硅 薄膜 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种采用PE-TEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)对TEOS液体进行气化处理，以产生TEOS气体；步骤2)将氧气和所述TEOS气体通入反应腔室，其中，所述氧气的气体流量与所述TEOS的液体流量的比值不小于3.2；步骤3)对所述氧气和所述TEOS气体进行解离后反应，生成二氧化硅薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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