[发明专利]反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法

摘要

一种反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，包括如下步骤：a)在P型GaP层上生长一层膜；b)涂负性光刻胶，形成负性光刻胶层；c)腐蚀P型GaP层上端面上的电流扩展图形内的膜；d)将P型GaP层上端面上的电流扩展图形之外的ITO膜去除；e)将P型GaP层上端面上的电流扩展图形内的ITO膜进行高温退火。得到更高光效的反极性AlGaInP四元LED芯片，提升了芯片的品质。通过常规的SiO₂膜生长及负性光刻胶剥离方法得到ITO膜的P面电流扩展层，通过高温退火使ITO膜与P面GaP形成良好的欧姆接触，操作简便且能得到更稳定的出光效果，适合规模化生产。

主权项

1.一种反极性四元LED的P面欧姆接触层及电流扩展层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在已经完成于GaAs衬底（1）上生长反极性四元外延层（2）的反极性AlGaInP四元LED外延片的P型GaP层（3）上生长一层膜；b)在反极性AlGaInP四元LED外延片的膜上涂负性光刻胶，形成负性光刻胶层（5）；c)通过光刻在负性光刻胶层（5）上刻蚀形成电流扩展图形，腐蚀P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形内的膜；d) 在反极性AlGaInP四元LED外延片上通过电子束蒸镀的方式蒸镀一层ITO膜（6），通过负性光刻胶剥离工艺将P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形之外的ITO膜（6）去除；e) 将P型GaP层（3）上端面上的电流扩展图形内的ITO膜（6）进行高温退火，在P型GaP层（3）上制得P面欧姆接触层及电流扩展层。