[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法有效
| 申请号： | 201711190003.6 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109835867B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张瑞朋;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 溶液 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀溶液，所述刻蚀溶液用于对待刻蚀层进行湿法刻蚀，其特征在于，包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。
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