[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711190189.5 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807537A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 徐志安;卢柏全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括在半导体装置的第一表面上沉积抑制剂层，通过实施第一组沉积循环在第二表面上沉积膜，每一个沉积循环包含在第二表面上方吸附第一前驱物，实施第一吹净工艺，在第二表面上方吸附第二前驱物，以及实施第二吹净工艺。半导体装置的制造方法还包含实施与第一吹净工艺或第二吹净工艺不同的第三吹净工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 吹净 半导体装置 第二表面 沉积循环 前驱物 吸附 制造 沉积抑制剂 第一表面 沉积膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体装置的一第一表面上沉积一抑制剂层；通过实施一第一组沉积循环，在该半导体装置的一第二表面上沉积一膜，其中每一个沉积循环包括：在该第二表面上方吸附一第一前驱物；实施一第一吹净工艺；在该第二表面上方吸附一第二前驱物；以及实施一第二吹净工艺；以及实施不同于该第一吹净工艺或该第二吹净工艺的一第三吹净工艺。
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