[发明专利]半导体器件和其制造方法有效
| 申请号： | 201711190908.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807538B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杨胜杰;邱泰鑫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括沿着第一方向伸展的有源区。半导体器件包括沿着大致垂直于第一方向的第二方向伸展的第一纵长栅极。第一纵长栅极包括设置在有源区上方的第一部分和不设置在有源区上方的第二部分。第一部分和第二部分包括不同的材料。半导体器件包括沿着第二方向伸展的第一纵长栅极和在第一方向上与第一纵长栅极分开的第二纵长栅极。第二纵长栅极包括设置在有源区上方的第三部分和不设置在有源区上方的第四部分。第三部分和第四部分包括不同的材料。本发明还提供了半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源区，在第一方向上延伸；以及第一栅极结构，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；其中：所述第一栅极结构包括设置在所述有源区上方的第一区段和不设置在所述有源区上方的第二区段；所述第一区段具有第一材料组成；以及所述第二区段具有与所述第一材料组成不同的第二材料组成。
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