[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201711191016.5 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108122986A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;谢维哲;连浩明;李俊鸿;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例，提供半导体装置结构的形成方法。上述方法包含在掩模层上图案化多个芯棒。上述方法亦包含在掩模层和芯棒的上表面上形成蚀刻涂布层。上述方法还包含沉积介电层于掩模层和芯棒上，其中介电层的沿着芯棒的侧壁的第一厚度大于介电层的沿着蚀刻涂布层的第二厚度。此外，上述方法包含移除介电层的水平部分。上述方法亦包含利用介电层留下的垂直部分来作为蚀刻掩模，以图案化掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 芯棒 掩模层 半导体装置结构 蚀刻 涂布层 图案化掩模层 沉积介电层 蚀刻掩模 上表面 图案化 侧壁 移除 垂直 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一掩模层上图案化多个芯棒；在该掩模层和该些芯棒的上表面上形成一蚀刻涂布层；沉积一介电层于该掩模层和该些芯棒上，其中该介电层的沿着该些芯棒的侧壁的一第一厚度大于该介电层的沿着该蚀刻涂布层的一第二厚度；移除该介电层的水平部分；以及利用该介电层留下的垂直部分作为一蚀刻掩模，以图案化该掩模层。
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