[发明专利]一种多晶硅化学机械研磨后的清洗方法在审
| 申请号： | 201711191628.4 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107993920A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周小红;闵源;周小云;蒋阳波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于包括以下步骤颗粒物清洗；第一道刷洗(Brush1)，采用氨水作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗；第二道刷洗(Brush2)，采用氢氟酸溶液作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗。通过调整了常规清洗工艺中两道刷洗的工艺顺序，将对氧化硅具有明显破坏作用的氢氟酸溶液刷洗工序置后，如此通过工序的调整，使得多晶硅表面在进行氨水刷洗时，能够得到颗粒物清洗时产生的氧化硅层的保护，从而避免了氨水对于多晶硅表面的腐蚀而产生粗糙化的破坏；同时减少了氢氟酸溶液刷洗时的氢氟酸溶液流量，既减少了氢氟酸溶液从而节省了成本，又能够减少氢氟酸溶液对于多晶硅表面的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 化学 机械 研磨 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：颗粒物清洗；第一道刷洗(Brush1)，采用氨水作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗；第二道刷洗(Brush2)，采用氢氟酸溶液作为清洗剂配合刷子对晶圆表面进行刷洗。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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