[发明专利]存储电路及操作存储电路的方法有效
| 申请号： | 201711191698.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108109658B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 简·奥特斯泰特;罗宾·博赫;格尔德·迪舍尔;贝恩德·迈尔;克里斯蒂安·彼得斯;斯特芬·索纳卡尔布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了存储电路和操作存储电路的方法。存储电路包括：多个电可编程存储单元；多个字线，每个都与存储单元中的一个或更多个耦接；多个电可编程非易失性标记存储单元；其中，至少一个字线与标记存储单元中的一个或更多个相关联；以及多个标记位线，每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联；多个标记源线，每个都与标记存储单元中的一个或更多个相关联；其中，对于标记存储单元中的一个或更多个，设置从关联的标记源线和/或标记位线到一个或更多个标记存储单元的物理连接，从而将一个或更多个标记存储单元限定成不可改变的存储状态，其中，标记存储单元被配置成识别处于不可改变的存储状态的相应的一个或更多个标记存储单元的相关联的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电路 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储电路，包括：沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；多个字线，每个字线与所述多个存储单元中的一个或更多个存储单元耦接；多个电可编程非易失性标记存储单元；其中，所述多个字线中的至少一个字线与所述多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；以及多个标记位线，每个标记位线与所述多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；多个标记源线，每个标记源线与所述多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元相关联；其中，对于所述多个标记存储单元中的一个或更多个标记存储单元，设置从相关联的标记源线和/或从相关联的标记位线到所述一个或更多个标记存储单元的物理连接，从而将所述一个或更多个标记存储单元限定成不能改变的存储状态，其中，所述多个标记存储单元被配置成识别处于所述不能改变的存储状态的相应的一个或更多个标记存储单元的相关联的字线。
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