[发明专利]一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201711193698.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108103440B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄传威;金菲;陈善全 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 33262 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法，属于电子薄膜技术领域。将所用衬底进行清洗后与La | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 泊松比 脉冲激光沉积设备 镧锶锰氧薄膜 衬底 制备 锰氧八面体 衬底加热 电子薄膜 激光能量 真空状态 拉应力 靶材 放入 氧压 沉积 清洗 膨胀 生长 流动 | ||
【主权项】：
1.一种负泊松比镧锶锰氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n(1)将所用衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗；/n(2)将La
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