[发明专利]介电层粗磨方法、存储器制作方法、存储器及电子设备有效
| 申请号： | 201711194490.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107968051B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周小红;杨俊铖;闵源;蒋阳波;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层层间介电层的粗磨方法、一种三维存储器的制作方法、一种三维存储器及一种电子设备。其中，所述多层层间介电层的粗磨方法，包括：提供已沉积多层层间介电层的目标晶圆；以研磨设备的马达扭矩为依据对所述目标晶圆进行粗磨，直至研磨至目标介电层。本发明提供的多层层间介电层的粗磨方法，相较于现有技术中以研磨时长为依据的粗磨方法，可以有效提高研磨的精准性，提高粗磨制程的可控性，降低后续细磨等步骤的工作量。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层粗磨 方法 存储器 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种多层层间介电层的粗磨方法，其特征在于，包括：提供已沉积多层层间介电层的目标晶圆；以研磨设备的马达扭矩为依据对所述目标晶圆进行粗磨，直至研磨至目标介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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