[发明专利]一种显示设备、显示基板及其制作方法有效
申请号: | 201711200195.4 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107968097B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种显示设备、显示基板及其制作方法,该显示基板包括半导体有源层,该半导体有源层包括第一半导体氧化层与第二半导体氧化层,且第一半导体氧化层位于第二半导体氧化层与衬底基板之间,第一半导体氧化层的导电率低于第二半导体氧化层的导电率,第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时,保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。本发明可减少一次光刻工艺,也使得在蚀刻源漏极金属层时,半导体有源层不会受到损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板的一侧设置第一半导体氧化层;在所述第一半导体氧化层的远离所述衬底基板的一面上设置第二半导体氧化层;在所述第二半导体氧化层上形成源漏极金属层;其中,所述第一半导体氧化层的导电率低于所述第二半导体氧化层的导电率,所述第二半导体氧化层可在蚀刻源漏极金属层时,作为保护层保护第一半导体氧化层以使其不受损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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