[发明专利]低电容二端闸流体构造及其制造方法在审
| 申请号： | 201711201469.1 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841690A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 宋孟龙;黄俊翔 | 申请（专利权）人： | 百福林企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闸流体构造及其制造方法。仅用三层光罩制造。采用低掺杂浓度第1型(如N－型)基板，双面同时以扩散法掺杂一层浓度高于基板浓度的第2型(如P型)杂质，在闸流体四周进行沟槽蚀刻，蚀穿第2型层，露出第1型沟槽底，并形成独立的第2型层区域，再同时在沟槽内及第2型层上以扩散法掺杂第3型(如N+型)，分别形成第3型区域层及点区域(点区域不扩散))，并利用光罩设计，在第3型掺杂时使第3型与第2型相连形成NP接面，以降低主接面(main junction)的崩溃电压进而达到低接面电容及低崩溃电压的双信道闸流体。本发明利用光罩设计，两面的第2型或第3型掺杂可同时作业，以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 闸流体 掺杂 光罩 崩溃电压 点区域 扩散法 基板 接面 制造 沟槽蚀刻 接面电容 低掺杂 低电容 区域层 双信道 三层 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种闸流体构造，可得低接面电容并低崩溃电压的双信道闸流体，其特征在于，至少包含：一片第1型(例如N－型)低浓度高阻值硅基板；第1型硅基板两面有低浓度第2型(例如P型)掺杂层；第1型硅基板四周形成绝缘凹槽；第2型掺杂层上有第3型区域层及点区域，在凹槽及第2型区域有第3型与第2型相连形成NP接面的区域；绝缘、金属化区域。
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