[发明专利]对多孔质膜进行蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201711202249.0 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107749389B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 田原慈;西村荣一;M·巴克拉诺夫;L·张;J-F·德马尔内夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 质膜 进行 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，其特征在于：包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述被处理物的载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定，供给至所述处理容器内的所述处理气体的分压等于或大于在所述载台的温度发生毛细管冷凝时的压力，使得所述处理气体侵入所述细孔内，通过所述毛细管冷凝在所述细孔内液化。
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