[发明专利]蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法

摘要

公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

主权项

对氮化钛(TiN)具有蚀刻选择性的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H₃PO₄)、硝酸(HNO₃)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO₄)、硅酸(H₂SiO₃)、硼酸(H₃BO₃)、乙酸(CH₃COOH)、丙酸(C₂H₅COOH)、乳酸(CH₃CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH₂COOH)。