[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

制造半导体元件的方法包含形成具有第一元素及第二元素于半导体基材上的合金半导体材料层；形成遮罩于合金半导体材料层上，以提供合金半导体材料层的屏蔽部分及未屏蔽部分；以来自辐射源的辐射照射未被遮罩覆盖的合金半导体材料层的未屏蔽部分，以转化合金半导体材料层，致使合金半导体材料层的未屏蔽部分的表面区域具有比合金半导体材料层的未屏蔽部分的内部区域高的第二元素的浓度，其中表面区域覆着内部区域。

主权项

一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一合金半导体材料层于一半导体基材上，该合金半导体材料层包含一第一元素及一第二元素；形成一遮罩于该合金半导体材料层上，以提供该合金半导体材料层的一屏蔽部分及该合金半导体材料层的一未屏蔽部分；以及用来自一辐射源的辐射照射未被该遮罩覆盖的该合金半导体材料层的该未屏蔽部分，以转化该合金半导体材料层，使得该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的一表面区域具有比该合金半导体材料层的该未屏蔽部分的一内部区域高的该第二元素的一浓度，其中该表面区域覆着该内部区域。