[发明专利]垂直型发光二极管晶粒的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711205374.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841707B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈亚理;王起明;涂家玮;钟承育;冯祥铵 | 申请（专利权）人： | 晶呈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直型发光二极管晶粒的结构及其制造方法，提供生长基板，在生长基板上形成磊晶层，再将金属组合基板接合至磊晶层上，接着去除生长基板，在磊晶层顶部设有多个电极单元，对应其数量分割磊晶层以形成多个磊晶晶粒，据此形成的每一垂直型发光二极管晶粒的结构包含金属组合基板具有第一金属层及其上下表面的第二金属层，磊晶电极层位于金属组合基板上，第一金属层及第二金属层通过切割、真空加热及研磨抛光的方式组合，本发明提供的金属组合基板具有高热传导系数、低热膨胀系数与初始磁导率，使其所形成的发光二极管晶粒更具竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 晶粒 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型发光二极管晶粒的结构，包含：一金属组合基板，其包含一第一金属层，及两层第二金属层分别位于该第一金属层的上、下表面上，该第一金属层及各该第二金属层通过切割、真空加热及研磨抛光的方式组合，以使该金属组合基板具有高热传导系数、低热膨胀系数与初始磁导率；以及一磊晶电极层，其位于该金属组合基板上。
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