[发明专利]具有单元结构的半导体器件及其布局方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括有源区和结构。有源区在衬底上形成为预定形状并且相对于具有基本平行于对应正交的第一和第二方向的第一和第二轨迹的格栅来布置；有源区被组织为具有第一导电性的第一行和具有第二导电性的第二行的实例。第一行和第二行的每一个实例都包括对应的第一预定数量和第二预定数量的第一轨迹。结构具有至少两个连续的行，包括第一行的至少一个实例和第二行的至少一个实例。在第一方向上，第一行的实例具有第一宽度，并且第二行的实例具有与第一宽度基本不同的第二宽度。本发明的实施例还提供了一种生成半导体器件布局的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：鳍，形成在衬底上并且布置为基本平行于第一方向；所述鳍被组织为第一行的实例和第二行的实例；所述第一行的每一个实例都包括具有第一导电类型的第一预定数量的鳍；和所述第二行的每一个实例都包括具有第二导电类型的第二预定数量的鳍；栅极结构，形成在所述鳍中对应的鳍上方并且布置为基本平行于第二方向，所述第二方向基本垂直于所述第一方向；以及具有奇数个连续的行的第一结构，包括：所述第一行的偶数个实例；和所述第二行的奇数个实例。