[发明专利]半导体制造方法

摘要

本发明提供一种半导体制造方法，用于减少阱区中硼掺杂损失，在STI沟槽中形成第一SiGe层，通过Ge浓缩工艺，将表面的Ge驱动至衬底之中从而形成第二SiGe层并同时在沟槽表面产生STI氧化物衬垫层，形成的第二SiGe层能够有效地防止阱区的硼在热处理工艺中向STI氧化物中扩散，降低了阱区硼损失，解决了半导体器件Id‑Vg曲线出现的双驼峰(Id‑Vg curve double hump)现象以及硼损失所导致的窄沟道宽度效应(narrow width effect)，提高了器件性能。同时，并未显著增加工艺成本。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，用于减少阱区中硼损失，其特征在于包括如下步骤：在衬底上依次形成表面氧化物层和表面氮化物层；通过刻蚀工艺，在所述衬底中形成STI沟槽，并进行阱区注入，形成有源区；在所述STI沟槽中，形成第一SiGe层，其覆盖所述STI沟槽的底部和侧壁；进行Ge浓缩工艺和退火处理，形成第二SiGe层和STI氧化物衬垫层；填充所述STI沟槽，并进行平坦化处理，形成STI结构；其特征在于，形成所述第二SiGe层和所述STI氧化物衬垫层的具体方式是：Ge浓缩工艺将所述第一SiGe层中的Ge浓缩到所述衬底中，从而在所述衬底中形成第二SiGe层，同时，在所述STI沟槽的表面形成了所述STI氧化物衬垫层。