[发明专利]一种自对准四重图形技术

摘要

本发明提供了一种自对准四重图形技术(Self‑Aligned Quadruple Pattern，简称SAQP)，本发明中的自对准四重图形技术(SAQP)，通过二次沉积侧墙材料工艺，在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，可以获得1/4最小尺寸(1/4Pitch)，比原来的自对准双重图形技术(SADP)的1/2最小尺寸(1/2Pitch)有了大幅提升，从而可以极大提高半导体集成电路的密度。

主权项

一种自对准图形工艺方法，其特征在于包括以下步骤：在待刻蚀层的表面依次沉积形成第一硬掩模层、核心材料层、第二硬掩模层和光刻层，并随后进行光刻以形成图形化的光刻层；利用图形化的光刻层为掩模对第二硬掩模层进行刻蚀，形成图形化的第二硬掩模层；随后利用图形化的第二硬掩模层作为掩模对核心材料层进行刻蚀，形成图形化的核心材料层；随后去除图形化的第二硬掩模层，并沉积形成覆盖图形化的核心材料层和第一硬掩模层的第一侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第一侧墙材料层以形成第一侧墙层；去除图形化的核心材料层；沉积形成覆盖第一侧墙层和第一硬掩模层的第二侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第二侧墙材料层以形成第二侧墙层；去除第一侧墙层；以第二侧墙层为掩模刻蚀第一硬掩模层以形成图形化的第一硬掩模层；以图形化的第一硬掩模层为掩模刻蚀待刻蚀层以形成沟道。