[发明专利]一种热等静压原位合成的SiC-TiC复相陶瓷在审
| 申请号： | 201711208576.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109836159A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 高明超 | 申请（专利权）人： | 沈阳东青科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/575;C04B35/645;C04B35/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 为了改善粉末合金的硬度，耐磨性，设计了一种热等静压原位合成的SiC‑TiC复相陶瓷。采用纳米级SiC粉末，Si粉末，C粉和TiH2粉为原料，所制得的热等静压原位合成的SiC‑TiC复相陶瓷，其硬度，致密化程度，抗弯强度都得到大幅提升。其中，以SiC，Ti，C粉末为原料的原位合成反应无副反应发生，更易得到成分符合预期，致密度良好且性能优秀的SiC‑TiC复相陶瓷。以SiC，Ti，C粉末为原料的热等静压原位合成样品，热等静压压力从80MPa提高到140MPa，材料的致密度，三点弯曲强度，硬度以及断裂韧性均得到一定程度的提高。复相陶瓷具有最好的致密度，硬度，三点弯曲强度以及良好的断裂韧性。本发明能够为制备高性能的SiC‑TiC复相陶瓷提供一种新的生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 复相陶瓷 热等静压 原位合成 断裂韧性 三点弯曲 原位合成反应 制备高性能 粉末合金 耐磨性 副反应 纳米级 致密化 抗弯 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.热等静压原位合成的SiC‑TiC复相陶瓷的制备原料包括：平均粒径约40nm，纯度大于99%的纳米级SiC粉末，平均粒径80nm，纯度大于99%的Si粉末，平均粒径约40nm，纯度大于99%的C粉和平均粒径3μm，纯度大于99.9%的亚微米级TiH2粉。
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