[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201711210101.1 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN109728103B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 萧睿中;叶峻铭;林昭正;黄崇杰;杜政勋;陈俊亨 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池,包括硅基板、钝化结构以及金属电极。钝化结构设置于硅基板的表面上且包括隧穿层与多晶硅掺杂层。隧穿层位于所述硅基板的所述表面上,多晶硅掺杂层位于隧穿层上且包括厚度不同的第一区以及第二区,且第一区的厚度大于第二区的厚度,其中第一区的厚度在50nm~500nm之间,第二区的厚度大于0且在250nm以下。金属电极则位于多晶硅掺杂层的第一区上。本发明的钝化结构具有热稳定性佳、低电阻率(resistivity)以及低光吸收(1ight absorption)的效果,还能因此使具有上述结构的太阳能电池能产生高转换效率的功效。
搜索关键词: 太阳能电池
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:硅基板,具有第一表面与第二表面;第一钝化结构,设置于该硅基板的该第一表面上,所述第一钝化结构包括:隧穿层,位于该硅基板的该第一表面上;以及多晶硅掺杂层,位于该隧穿层上,该多晶硅掺杂层包括厚度不同的第一区和第二区,其中该第一区的厚度大于该第二区的厚度,该第一区的厚度在50nm~500nm之间,该第二区的厚度大于0且在250nm以下;以及第一金属电极,位于所述第一钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区上。
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