[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201711210101.1 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN109728103B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 萧睿中;叶峻铭;林昭正;黄崇杰;杜政勋;陈俊亨 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吕雁葭 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池,包括硅基板、钝化结构以及金属电极。钝化结构设置于硅基板的表面上且包括隧穿层与多晶硅掺杂层。隧穿层位于所述硅基板的所述表面上,多晶硅掺杂层位于隧穿层上且包括厚度不同的第一区以及第二区,且第一区的厚度大于第二区的厚度,其中第一区的厚度在50nm~500nm之间,第二区的厚度大于0且在250nm以下。金属电极则位于多晶硅掺杂层的第一区上。本发明的钝化结构具有热稳定性佳、低电阻率(resistivity)以及低光吸收(1ight absorption)的效果,还能因此使具有上述结构的太阳能电池能产生高转换效率的功效。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:硅基板,具有第一表面与第二表面;第一钝化结构,设置于该硅基板的该第一表面上,所述第一钝化结构包括:隧穿层,位于该硅基板的该第一表面上;以及多晶硅掺杂层,位于该隧穿层上,该多晶硅掺杂层包括厚度不同的第一区和第二区,其中该第一区的厚度大于该第二区的厚度,该第一区的厚度在50nm~500nm之间,该第二区的厚度大于0且在250nm以下;以及第一金属电极,位于所述第一钝化结构的该多晶硅掺杂层的该第一区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711210101.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的