[发明专利]发光二极管封装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711213331.3 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN109841721B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 郑荣;金尚彦;金赫骏 申请(专利权)人: 首尔半导体股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋;舒艳君
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及发光二极管封装体及其制造方法,发光二极管封装体包括:分开配置的第一引线以及第二引线;壳体,支撑第一引线以及第二引线,包括使第一引线以及第二引线中任一个以上的上表面一部分露出的腔室;发光二极管芯片,配置于腔室内;第一波长部,配置于发光二极管芯片的上部,对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换;以及第二波长部,以覆盖腔室的底面的方式配置,并对由发光二极管芯片释放的光进行波长转换,第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度不同。由于能够将发光二极管封装体所包含的荧光体的量以配置在发光二极管芯片上的荧光体的量为基准确定,因此能够对决定由发光二极管芯片释放的光的色坐标的荧光体的量进行数值控制。
搜索关键词: 发光二极管 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管封装体,其特征在于,包括:相互分开配置的第一引线以及第二引线;壳体,支撑所述第一引线以及第二引线,并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室;发光二极管芯片,配置于所述壳体的腔室内;第一波长部,配置于所述发光二极管芯片的上部,并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换;以及第二波长部,以覆盖所述腔室的底面的方式配置,并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换,所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。
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