[发明专利]一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法在审
| 申请号： | 201711213560.5 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109839296A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;任堃;沈佳斌;郑勇辉;成岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再以保护层为掩膜，刻蚀所述相变存储器器件，在平台两侧缘形成薄片；最后对薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本，加快了新型高密度存储相变材料研发，为其可逆相变行为及界面相变行为的研究提供了快捷的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 透射电镜样品 电学测试 金属探针 样品制备 保护层 制备相变存储器 电极层表面 高密度存储 相变存储器 电学连接 顶端针尖 可逆相变 平台表面 下电极层 相变材料 样品提取 削平 电极层 两侧缘 淀积 减小 刻蚀 研发 掩膜 成功率 分割 研究 | ||
【主权项】：
1.一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供金属探针，将所述金属探针的顶端针尖削平形成平台；2)在所述平台表面制备相变存储器器件，所述相变存储器器件包括下电极层、制备在所述下电极层上的相变层、以及制备在所述相变层上的上电极层；3)在所述上电极层表面淀积保护层；4)对所述保护层进行图形化处理以形成掩膜，并刻蚀所述相变存储器器件，以形成在所述平台两侧缘的薄片，所述薄片之间暴露所述平台的表面，所述薄片自下往上包括下电极层、相变层、上电极层及保护层；5)对所述薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。
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