[发明专利]预处理方法及晶片处理方法有效
| 申请号： | 201711214717.6 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841475B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预处理方法及晶片处理方法，该预处理方法包括：预处理步骤，在腔室内壁形成保护层；保护层修饰步骤，增加保护层在过薄区域的厚度，和/或减少保护层在过厚区域的厚度。本发明提供的预处理方法，其不仅可以通过形成保护层来防止腔室壁上的金属和颗粒在工艺过程中掉落在晶片表面，而且还可以提高该保护层的均匀性，从而可以改善工艺缺陷及减少因保护层缺失而导致的部件损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 方法 晶片 处理 | ||
【主权项】：
1.一种预处理方法，其特征在于，包括：预处理步骤，在腔室内壁形成保护层；保护层修饰步骤，增加所述保护层在过薄区域的厚度，和/或减少所述保护层在过厚区域的厚度。
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