[发明专利]去除蚀刻掩模的方法有效
| 申请号： | 201711215620.7 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108155088B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朱君瀚;陈乃嘉;卓琮闵;黄秉荣;施瑞明;严必明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例的方法包括在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模并使用图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化目标层以形成图案化的目标层。该方法还包括在图案化的蚀刻掩模和图案化的目标层上执行第一清洁工艺，第一清洁工艺包括第一溶液。该方法附加地包括执行第二清洁工艺以去除图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，第二清洁工艺包括第二溶液。该方法还包括在暴露的图案化的目标层上执行第三清洁工艺，并且在暴露的图案化的目标层上执行第四清洁工艺，第四清洁工艺包括第一溶液。本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模；使用所述图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化所述目标层，以形成图案化的目标层；对所述图案化的蚀刻掩模和所述图案化的目标层执行第一清洁工艺，所述第一清洁工艺包括第一溶液；执行第二清洁工艺以去除所述图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，所述第二清洁工艺包括第二溶液；对所述暴露的图案化的目标层执行第三清洁工艺；以及对所述暴露的图案化的目标层执行第四清洁工艺，所述第四清洁工艺包括所述第一溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711215620.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
