[发明专利]具有低电流参考电路的存储器装置在审
| 申请号： | 201711215970.3 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122567A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李嘉富;林弘璋;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有低电流参考电路的存储器装置包含存储器胞元单元、参考电路及感测放大器。所述存储器胞元单元包含存储器胞元。所述参考电路经配置以产生参考电流且包含多个磁性电阻元件。所述磁性电阻元件中的至少一者处于高电阻状态中。所述感测放大器耦合到所述存储器胞元单元及所述参考电路，且经配置以将流动穿过所述存储器胞元的电流与所述参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位、放大所述所感测数据位的电平且输出所述经放大数据位。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器胞元 参考电路 磁性电阻元件 存储器装置 感测放大器 参考电流 低电流 感测 放大 高电阻状态 耦合到 配置 存储 穿过 输出 参考 流动 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：存储器胞元单元，其包含存储器胞元；参考电路，其经配置以产生参考电流且包含：多个电阻元件的布置，所述多个电阻元件中的至少一者是处于高电阻状态中的磁性电阻元件，及感测放大器，其耦合到所述存储器胞元单元及所述参考电路，且经配置以将流动穿过所述存储器胞元的电流与所述参考电流进行比较以感测存储于所述存储器胞元中的数据位且输出所述所感测数据位。
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