[发明专利]用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成在审
申请号: | 201711216053.7 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108118312A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 马莹;D·拉杰;J·D·平松二世;D·李;梁璟梅;张轶珍 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成。本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中,设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室,第一RPS被耦接到处理腔室的盖,第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中,并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环,所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间,用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递通道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化,从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。 | ||
搜索关键词: | 自由基 处理腔室 处理区域 可流动 沉积 远程等离子体源 传递环 传递 清洁 喷头 漂移 基板支撑件 传递通道 交叉污染 循环变化 最小化 侧壁 引入 改进 | ||
【主权项】:
一种环,包括:外部部分;内部部分,其中环形通道形成在所述外部部分与所述内部部分之间,其中多个通道形成在所述内部部分中,并且所述多个通道相对于所述环的中心轴线不对称地设置;上部部分,所述上部部分将所述外部部分和所述内部部分连接;以及下部部分,所述下部部分将所述外部部分和所述内部部分连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的