[发明专利]有机复合薄膜及其在有机电子器件中的应用有效

专利信息
申请号: 201711217334.4 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108003365B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 潘君友;黄宏;谭甲辉 申请(专利权)人: 广州华睿光电材料有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08J7/06;C08J7/04;C08G61/12;C08F112/32;C08F8/00;C07D209/86;C07D403/14;C07D487/04;C07D209/96;C07D495/04;C07D405/14;C07D251/24
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑彤
地址: 510000 广东省广州市高新技术产业开*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种有机复合薄膜及其在有机电子器件中的应用,所述有机复合薄膜依次包含有功能层L1和功能层L2,其中功能层L1包含有一有机材料M1,功能层L2包含有一有机材料M2,M1和M2至少有一个是高聚物,并且M1和M2具有Ⅱ型的半导体异质结结构,且min(Δ(LUMOM1‑HOMOM2),Δ(LUMOM2‑HOMOM1))≤min(ET(M1),ET(M2))+0.1eV。本发明的有机复合薄膜中功能层L1与功能层L2交界面处易于形成激基络合物(Exciplex),具有较好的稳定性,可提高器件性能。
搜索关键词: 有机 复合 薄膜 及其 电子器件 中的 应用
【主权项】:
1.一种有机复合薄膜,其特征在于,依次包含有功能层L1和功能层L2,其中功能层L1包含有一有机材料M1,功能层L2包含有一有机材料M2:1)M1和M2至少有一个是高聚物;2)M1和M2具有Ⅱ型的半导体异质结结构,且min(Δ(LUMOM1‑HOMOM2),Δ(LUMOM2‑HOMOM1))≤min(ET(M1),ET(M2))+0.1eV,其中HOMO(M1),LUMO(M1)及ET(M1)分别表示M1的最高占有轨道,最低未占有轨道,三线态的能级,HOMO(M2),LUMO(M2)及ET(M2)分别是M2的最高占有轨道,最低未占有轨道,三线态的能级;所述M1选自所述M1选自带有胺、三芳基胺、酞菁、噻吩、吡咯、咔唑、茚并咔唑、吲哚咔唑或其异构体和衍生物基团,且含有如下通式或其异构体和衍生物基团的小分子或高聚物:其中,L1表示单键、碳原子数为6~30的芳香基团或碳原子数为3~30的芳杂基团,L1的连接位置可以是苯环上任意一碳原子上;L2、L3、L4、L5表示碳原子数为6~30的芳香基团或碳原子数为3~30的芳杂基团;Ar10、Ar11表示碳原子数为6~30的芳香基团或碳原子数为3~30的芳杂基团;A1、A2分别独立表示N(R)、C(R)2、Si(R)2、O、C=N(R)、C=C(R)2、P(R)、P(=O)R、S、S=O或SO2;A3、A4分别独立表示单键、N(R)、C(R)2、Si(R)2、O、C=N(R)、C=C(R)2、P(R)、P(=O)R、S、S=O或SO2,但不能同为单键;Y1~Y8分别独立表示N(R)、C(R)2、Si(R)2、O、C=N(R)、C=C(R)2、P(R)、P(=O)R、S、S=O或SO2;R1、R2、R3、R4、R5、R6、R分别独立表示H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、碳原子数1~30的烷基、碳原子数3~30的环烷基、碳原子数为6~60芳香族烃基或碳原子数为3~60的芳香族杂环基,其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6的连接位置可以是稠环上任意一碳原子上;m表示1、2、4、5、6。
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