[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711217590.3 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841708B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张韵;赵璐;张连 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。
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